1、微带电路设计,隔离度高,反射损耗大; 2、采用锡封方式,屏蔽衰减≥100dB; 3、工作频带5-1000MHz; 4、75Ω公制F座M10-0.75mm/英制F座3/8"—32UNEF; 5、向上接口,安装简便; 6、外形尺寸:190*48*32mm。
1、微带电路设计,隔离度高,反射损耗大; 2、采用锡封方式,屏蔽衰减≥100dB; 3、工作频带5-1000MHz; 4、75Ω公制F座M10-0.75mm/英制F座3/8"—32UNEF; 5、向上接口,安装简便; 6、外形尺寸:190*48*32mm。