MEM2301XG系列P沟道增强型功率场效应管,采用高单元密度的DMOS沟道技术,这种高密度的工艺特别适用于小导通电阻。MEM2301XG系列使用于低压应用,例如移动电话,笔记本电脑的电源管理和其它电池的电源电路,这种低损耗可采用小尺寸封装。 MEM2301参数: 模式:P channel VDS(Max):-20V VGS:-8V ID(Max):-2.8A RDS(on) (Max):80mΩ 封装形式:SOT23/SOT23-3 MEM2301应用范围: ①手机 ②MP3/MP4播放器 ③GPS ④DC/ DC转换器 ⑤负荷开关